英國研究揭示石墨烯質(zhì)子滲透比理論值高的原因

英國華威大學(xué)和曼徹斯特大學(xué)的科研人員揭示了石墨烯對質(zhì)子的滲透比理論預(yù)期值高得多的原因。

科研人員使用掃描電化學(xué)電池顯微鏡（SECCM）測量質(zhì)子電流，將穿過石墨烯膜的質(zhì)子電流的空間分布可視化。研究發(fā)現(xiàn)，質(zhì)子電流在晶體納米尺度褶皺周圍加速。一種理論認(rèn)為，褶皺有效“拉伸”了石墨烯晶格，從而為質(zhì)子滲透原始晶格提供了更大空間。該實驗觀察與理論一致。也有推測認(rèn)為，質(zhì)子傳輸可能是通過孔進(jìn)行的，電流應(yīng)集中在幾個孤立點(diǎn)上。該研究未發(fā)現(xiàn)這樣的孤立點(diǎn)。研究成果發(fā)表在《自然》雜志上。

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