硅極少以單質(zhì)的形式存在于自然界中,但在巖石、砂礫、塵土之中其以硅酸鹽或二氧化硅的形式廣泛存在。在地殼中,硅是第二豐富的元素,其構(gòu)成地殼總質(zhì)量的 26.4%。
晶圓制造是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中重要一環(huán),生產(chǎn)過程中會涉及多種材料。2018 年全球半導(dǎo)體材料銷售額達(dá)到 519 億美元,增長 10.6%,其中晶圓制造材料和封裝材料的銷售額分別為 322 億美元和 197 億美元,同比增長率分別為 15.9%和 3.0%。根據(jù)細(xì)分產(chǎn)品銷售情況,2018 年硅片占晶圓制造材料市場比值為 38%,比重為相關(guān)材料市場第一位。所以,硅片作為半導(dǎo)體生產(chǎn)重要原材料之一,硅片制備技術(shù)將對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)生一定的影響。
一、半導(dǎo)體硅片
首先通過提純硅氧化得到多晶硅,其后通過單晶硅生長工藝得到硅片原始材料單晶錠,再通過切片、研磨、拋光等硅片制造工藝得到拋光硅片。通過對拋光硅片進(jìn)行特殊工藝處理,可得到退火片、外延片等具備特殊性能硅片。
單晶硅是由單一籽晶生長的單晶體硅材料,它具有晶格完整、缺陷和雜質(zhì)很少等特點。根據(jù)單晶硅生長方式進(jìn)行分類,可將其分為區(qū)熔單晶硅(FZ-Si)和直拉單晶硅(CZ-Si),其中所涉及的工藝為區(qū)熔法和直拉法。相較于區(qū)熔法,直拉法能支持 12 英寸等大尺寸硅片生產(chǎn),而區(qū)熔法則用于 8 英寸及以下尺寸硅片生產(chǎn)。所以,直拉法是目前較為主流長晶工藝。
直拉法主要工藝包括多晶硅原料裝料、多晶硅融化、種晶、縮頸、放肩、等徑生長和收尾等。直拉法制備工藝是通過加熱放置于坩堝內(nèi)的多晶硅原料使其成為溶液,并通過安置在爐體上方的籽晶軸,使得單晶晶種能與硅溶液進(jìn)行接觸。通過籽晶軸轉(zhuǎn)動和上下移動,硅液會沿著籽晶表面凝結(jié)和生長,最終形成單晶錠。隨著直拉法工藝不斷深入,基于基礎(chǔ)工藝的新工藝在持續(xù)開發(fā),目前已開發(fā)出磁控直拉單晶生長、連續(xù)加料直拉單晶硅生長和重裝料直拉單晶生長等工藝。
為滿足不同器件制備的要求,在晶體生長時需要摻入微量電學(xué)性的雜質(zhì)(摻雜劑)。其中 P 型半導(dǎo)體,硼(B)是最常用的摻雜劑;而對于 N 型半導(dǎo)體,磷(P)、砷(As)和銻(Sb)都可以作為摻雜劑。除摻雜劑外,一般情況下在直拉過程中需要避免雜質(zhì)引入,否則將影響單晶硅、器件的性能和質(zhì)量。由于單晶硅生長情況對于硅片生產(chǎn)影響較大,所以單晶硅生長技術(shù)在硅片生產(chǎn)中是關(guān)鍵技術(shù)之一。
硅片制造工藝實現(xiàn)從“錠”到“片”轉(zhuǎn)換。當(dāng)完成單晶硅生長工藝后,需要通過硅片制造技術(shù)來實現(xiàn)硅片生產(chǎn)。根據(jù)生產(chǎn)流程,單晶硅錠需要通過切斷、切片、研磨、拋光、清洗五大步驟從而得到拋光硅片。其中,通過切斷得到適合切片的晶棒;切片是將晶棒切成具有一定厚度和平整度的硅片;研磨工藝,可去除硅片切片表面殘留的損傷層,并使硅片具有一定的幾何精度;拋光工藝,通過化學(xué)和機械作用,去除硅片表面殘留的微缺陷和損傷層,獲得硅拋光片;硅片清洗是去除硅片表面各種沾污。通過這一系列加工工藝后,可得到拋光硅片。
拋光硅片是目前應(yīng)用范圍最廣、最基礎(chǔ)的硅片,以拋光片為基礎(chǔ)進(jìn)行二次加工可得到具有特殊性能的硅片。退火片制作工藝是一個升溫再降溫的過程,通過將拋光片置于氫或氬氣中加熱,隨即進(jìn)入到退火過程。與拋光片相比,其表面含氧量大幅減少,從而擁有更好的晶體完整性。外延片通常采用化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù),反應(yīng)原理為硅的氣態(tài)化合物在硅片表面發(fā)生反應(yīng),并以單晶薄膜的形態(tài)沉積在硅襯底表面。SOI 硅片具有三層結(jié)構(gòu),自上而下分別為頂層硅片(SOI 層)、氧化層和硅襯底;目前,氫注入剝離鍵合技術(shù)(Smart-Cut)、硅片直接鍵合技術(shù)(SDB)和注氧隔離技術(shù)(SIMOX)是三個最具有競爭力的 SOI 制備技術(shù);由于 SOI 硅片具有氧化層,從而減少硅片的寄生電容以及漏電現(xiàn)象。具有特殊性能的硅片能滿足不同應(yīng)用場景需求,是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中不可或缺的一部分。
二、硅片尺寸
隨著單晶硅制造技術(shù)提升,硅片的尺寸在逐步提升。硅片尺寸從最初 2 英寸,到 4 英寸,5 英寸,6 英寸,8 英寸,再到 12 英寸,其尺寸在持續(xù)增加。目前,硅片發(fā)展史具有多種表述。其中,據(jù) SEMI 相關(guān)產(chǎn)品數(shù)據(jù),4 英寸硅片產(chǎn)生于 1986年,6 英寸產(chǎn)生于 1992 年,8 英寸產(chǎn)生于 1997,12 英寸產(chǎn)生于 2005 年。而行業(yè)內(nèi)根據(jù)各尺寸硅片市場占比情況進(jìn)行劃分,4 英寸、6 英寸和 8 英寸分別為 1980 年代、1990 年代和 2000 年代占據(jù)主流位置;而 12 英寸硅片產(chǎn)線是英特爾和 IBM 于 2002 年首先建成,而到 2005 年 12 英寸產(chǎn)品市場占比達(dá)到 20%且市場占比持續(xù)增大。
自 2005 年起 12 英寸硅片被大規(guī)模使用以來至今已超過 10 年,在硅片向大尺寸發(fā)展的背景下,硅片產(chǎn)品理應(yīng)進(jìn)行迭代。18 英寸硅片是下一代技術(shù)節(jié)點,以英特爾、臺積電等廠商和學(xué)校為首的相關(guān)研發(fā)專案已經(jīng)取得了一定進(jìn)展,但因不具備生產(chǎn)效益而有所擱置。所以,12 英寸硅片尚未受到產(chǎn)品迭代所帶來的影響,有望在較長一段時間內(nèi)保持市場地位。
2015-2021 年全球 12 寸硅片市場占比及預(yù)測
數(shù)據(jù)來源:公開資料整理
目前,集成電路發(fā)展兩條技術(shù)主線是硅片尺寸擴大和芯片制程技術(shù)提升。其中,硅片尺寸擴大能有效降低成本,而這也成為硅片向大尺寸發(fā)展的重要推力。以 8 英寸和 12 英寸硅片為例,12 英寸硅片較 8 英寸在面積上提升約 2.25 倍。由于可用生產(chǎn)面積擴大,使得單硅片芯片產(chǎn)出數(shù)量也有所差異,其中,8 英寸硅片產(chǎn)出約為 88 塊,而 12 英寸硅片產(chǎn)出約為 232 塊,12 英寸硅片產(chǎn)出較 8英寸硅片提升約 2.64 倍,產(chǎn)出增長較硅片面積增長更多。此外,由于邊緣芯片減少,產(chǎn)品成品率將上升,使得產(chǎn)出會更高。在芯片生產(chǎn)過程中由于產(chǎn)出更高,使得設(shè)備使用率提升。所以,無論是從產(chǎn)量,還是從設(shè)備使用率角度,大硅片能使芯片生產(chǎn)成本下降,使得晶圓代工廠利潤增厚,從而間接推動硅片向大尺寸發(fā)展。
各種需求促生對不同尺寸硅片需求。不同尺寸硅片在應(yīng)有場景中有所差異,下游對于硅片需求主要集中在 8、12 英寸。目前,12 英寸硅片主要應(yīng)用于制造智能終端中邏輯芯片和存儲芯片等,而 8 英寸硅片主要應(yīng)用于汽車電子、工業(yè)自動化和指紋識別等集成電路制造領(lǐng)域,6 英寸及以下尺寸硅片主要應(yīng)用于低端產(chǎn)品。所以,在不同領(lǐng)域應(yīng)用不同尺寸的硅片,從而形成不同的需求。
三、需求
硅片是晶圓制造上游材料,晶圓廠產(chǎn)能情況對硅片需求將產(chǎn)生影響。根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù),硅片出貨量存在一定周期性,2019 年硅片出貨量有所下滑,但情況有望得到好轉(zhuǎn)。受消費升級和數(shù)據(jù)流量爆發(fā)等因素誘發(fā),終端市場持續(xù)向好,而需求沿著產(chǎn)業(yè)鏈向上游傳遞。在硅片向大尺寸發(fā)展的趨勢中,8 英寸和 12 英寸硅片作為主流硅片產(chǎn)品,在終端市場帶動下需求將持續(xù)擴大。預(yù)計,2020年半導(dǎo)體總發(fā)貨量將增長 7%,達(dá)到 10,363 億個,這將是有史以來半導(dǎo)體總發(fā)貨量第二次超過一萬億個單位。而在 2020 年半導(dǎo)體出貨量中,預(yù)計光電器件、傳感器和分立器這三項占 69%,集成電路占 31%。此外,2020 年增長率最高的半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域場景包括智能手機、汽車電子以及人工智能、云和“大數(shù)據(jù)”系統(tǒng)、深度學(xué)習(xí)應(yīng)用程序。
2007年至2019年全球硅片面積出貨量(百萬平方英寸)
數(shù)據(jù)來源:公開資料整理
2020 年半導(dǎo)體出貨量占比
數(shù)據(jù)來源:公開資料整理
1、12 英寸硅片
目前,12 英寸硅片在下游產(chǎn)業(yè)中廣泛應(yīng)用,產(chǎn)品大多使用于制造消費電子芯片。根據(jù) 12 英寸晶圓制造精度進(jìn)行分類,可分為先進(jìn)制程和成熟制程。隨著晶圓廠制程不斷提升,將增加高質(zhì)量 12 英寸大硅片需求。除晶圓制程提升外,終端市場向好是拉動硅片需求上升的動力。
由于 5G 通信能支持增強移動寬帶(eMBB)、高可靠低時延連接(uRLLC)和海量物聯(lián)(eMTC)三大應(yīng)用場景,其對社會發(fā)展具備重要意義。所以,各國對于 5G 網(wǎng)絡(luò)建設(shè)都較為重視。而對于普通消費者而言,4G 手機無法支持 5G 網(wǎng)絡(luò),若想使用 5G 網(wǎng)絡(luò)其需要對終端設(shè)備進(jìn)行升級。所以,在通信升級時代將會出現(xiàn)手機換機潮。IDC 預(yù)計,2020 年 5G 智能手機出貨量將占智能手機總出貨量的 8.9%,到 2023 年,這一比例將增長至 28.1%。根據(jù)目前各大手機廠商所推出 5G 產(chǎn)品數(shù)據(jù),大部分手機 NAND 容量為 128G 起,容量較 4G 手機有一倍的提升。手機對于存儲芯片需求將會逐步顯現(xiàn)。此外,數(shù)據(jù)流量爆發(fā)將增加數(shù)據(jù)中心需求,2016-2021 年全球數(shù)據(jù)中心流量復(fù)合增速將達(dá) 25%;而云數(shù)據(jù)中心流量增速將會更快,年復(fù)合增長率為 27%。數(shù)據(jù)流量爆發(fā)使得相關(guān)廠商會加大對服務(wù)器等基礎(chǔ)設(shè)施投入。由于服務(wù)器等基礎(chǔ)設(shè)施中需要使用到固態(tài)硬盤,而硬盤是 NAND Flash重要應(yīng)用場景之一,所以這將會激發(fā) NAND Flash 需求上升。Gartner 預(yù)計 NAND 復(fù)蘇將在 2020 年繼續(xù),這是由于固態(tài)硬盤的強勁需求以及 5G 智能手機的大量增加使低位供應(yīng)增長所致。
NAND 閃存應(yīng)用份額
數(shù)據(jù)來源:公開資料整理
2018 年 12 英寸硅片下游應(yīng)用占比
數(shù)據(jù)來源:公開資料整理
DRAM 作為電子產(chǎn)品重要組件之一,在 AI 和 5G 兩大應(yīng)用的拉動下,景氣度有望持續(xù)好轉(zhuǎn)。根據(jù) 2018 年 12英寸硅片下游應(yīng)用占比數(shù)據(jù),存儲芯片(DRAM、2D NAND、3D NAND)占比已超過50%。所以,無論是 NAND Flash,還是 DRAM,在終端設(shè)備需求持續(xù)向好將會沿產(chǎn)業(yè)鏈傳導(dǎo)到存儲芯片,從而使得晶圓廠對硅片需求上升。
2、8 英寸硅片
8 英寸晶圓制造技術(shù)依舊保持競爭力。12 英寸晶圓廠進(jìn)入門檻較高,對于環(huán)境和設(shè)備等要求較為苛刻,所以其產(chǎn)品主要為精密制程的電子產(chǎn)品。而在制程等要求較低或?qū)Τ杀据^為敏感的產(chǎn)品,一般使用 8 英寸或 6 英寸硅片進(jìn)行生產(chǎn)。但隨著 6 英寸產(chǎn)品逐步向 8英寸轉(zhuǎn)移,8 英寸晶圓廠將承接部分產(chǎn)品生產(chǎn)需求。此外,由于 8 英寸晶圓已具備成熟特種工藝,在小尺寸晶粒模擬內(nèi)容容量或高電壓支持具備優(yōu)勢,所以對于具備特殊要求的器件大部分仍以 8 英寸晶圓制造為主。根據(jù) 8 英寸硅片下游應(yīng)用數(shù)據(jù),功率分立器件、MEMS、模擬、CIS、射頻等產(chǎn)品是主要應(yīng)用方向。
2018 年 8 英寸硅片下游應(yīng)用占比
數(shù)據(jù)來源:公開資料整理
隨著新能源汽車和工業(yè)智能裝備等快速普及,對于模擬和分立器件的需求在逐步加大,而這使得汽車電子和工業(yè)控制領(lǐng)域在相關(guān)領(lǐng)域市場份額擴大,下游景氣度提升也將傳導(dǎo)到上游產(chǎn)業(yè)。自 2018 年 7 月以來,全球增加了 7 個 200mm 新廠房。而在接下來的 2019 年到 2022 年間,全球預(yù)計總共將有 16 個廠房或產(chǎn)線,其中 14 個為批量 Fab 廠。預(yù)測,到 2022 年全球200mm 晶圓制造廠的總產(chǎn)能達(dá)到每月 650 萬片晶圓。隨著電動車、5G 等市場的發(fā)展,MEMS、感測、模擬與微控制元件等在物聯(lián)網(wǎng)、移動裝置的應(yīng)用發(fā)展將持續(xù)延伸,帶動8 英寸晶圓的市場需求。
四、趨勢
2019 年銷售額有所回落,但在終端市場持續(xù)向好推動下,銷售額有望扭轉(zhuǎn)跌勢。從市場份額來看,2017 年全球五大硅晶圓供貨商為日本信越(市占率 27.58%)、日本勝高(市占率 24.33%),臺灣環(huán)球晶圓(市占率 16.28%)、德國 Silitronic(市占率 14.22%)、韓國 SK Siltron(市占率 10.16%),前五大公司市占率超過 90 %。由于硅片具有較高技術(shù)壁壘,所以導(dǎo)致硅片市場集中度較高且硅片尺寸越大,市場集中度越高。
2009-2019 年全球硅片銷售(單位:十億美元)
數(shù)據(jù)來源:公開資料整理
2018 年全球硅片市場份額
數(shù)據(jù)來源:公開資料整理
我國作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第三次轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)入國,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)得到快速發(fā)展。2016 年我國半導(dǎo)體銷售額為 1056.5 億美元,而 2019 年銷售額為 1436.7 億美元,年復(fù)合增長率為 10.79%。此外,我國在全球半導(dǎo)體市場規(guī)模份額持續(xù)擴大。目前,中國是全球最大的消費電子產(chǎn)品生產(chǎn)國、出口國和消費國,2018 年,中國手機、計算機和彩電產(chǎn)量占到全球總產(chǎn)量的 90%、90%和 70%以上,均穩(wěn)居全球首位。在生產(chǎn)過程中半導(dǎo)體產(chǎn)品需求較大。所以,基于產(chǎn)業(yè)鏈安全等因素考慮,無論是半導(dǎo)體產(chǎn)品,還是半導(dǎo)體材料均有國產(chǎn)替代需求。
全球半導(dǎo)體市場規(guī)模(單位:十億美元)及中國占比
數(shù)據(jù)來源:公開資料整理
硅片作為集成電路基石之一,其重要性不言而喻。但由于硅片市場目前被幾大巨頭所壟斷且我國在硅片產(chǎn)業(yè)起步較晚,使得我國硅片產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)發(fā)展不均的情況。在小尺寸硅片方面,我國能大規(guī)模生產(chǎn) 4-6 英寸硅片,基本滿足國內(nèi)需求。但大硅片(8、12 英寸)方面則存在較大缺口。雖然 8 英寸硅片我國能自主進(jìn)行生產(chǎn),但仍不能滿足下游生產(chǎn)需求;而 12 英寸硅片則幾乎依賴于進(jìn)口。截至 2019 年 6 月,6 英寸國產(chǎn)化率超過 50%,8 英寸國產(chǎn)化率 10%,12 英寸國產(chǎn)化率小于1%,且國產(chǎn) 12 英寸硅片在國內(nèi)晶圓廠中大都為測控片,正片的銷售較少。隨著下游需求回暖,國內(nèi)硅片缺口將進(jìn)一步擴大。參照日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展路徑,為彌補硅片產(chǎn)業(yè)不足,在政府政策和資金扶持下,我國硅片企業(yè)已走上追趕之路。
2018 年中國 8 英寸和 12 英寸硅片產(chǎn)品市場供給(單位:萬片/月)
數(shù)據(jù)來源:公開資料整理
國家為促進(jìn)集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,先后頒布了《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》、《集成電路產(chǎn)業(yè)“十三五”發(fā)展規(guī)劃》等政策。在這些政策中,不乏對于硅片產(chǎn)業(yè)發(fā)展提出指導(dǎo)意見。其中,《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》中提出要開發(fā)大尺寸硅片等關(guān)鍵材料,加強企業(yè)間合作;《“十三五”先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項規(guī)劃》中明確提出要重點研發(fā) 300mm 硅片。在國家政策推動下,硅片產(chǎn)業(yè)將會得到強有力支持。
智研咨詢發(fā)布的《2020-2026年中國半導(dǎo)體硅片行業(yè)市場發(fā)展規(guī)劃及投資戰(zhàn)略分析報告》數(shù)據(jù)顯示:對于半導(dǎo)體硅片新進(jìn)入者而言,半導(dǎo)體硅片在資本投入、生產(chǎn)技術(shù)和人才儲備等方面具有較高壁壘。此外,在硅片市場處于壟斷情況下,企業(yè)實現(xiàn)規(guī)模效應(yīng)將面臨挑戰(zhàn)。由于我國具有較大內(nèi)需市場且國家對硅片產(chǎn)業(yè)發(fā)展有政策扶持,所以我國企業(yè)能更好應(yīng)對外部競爭。目前,我國企業(yè)對于國產(chǎn)供需缺口較大的 8 英尺和 12 英尺硅片均有布局,多個項目正逐步實施,產(chǎn)能將會逐步落地。據(jù)調(diào)查數(shù)據(jù)顯示,我國硅片企業(yè)規(guī)劃產(chǎn)能大多集中在 12 英寸硅片,大硅片產(chǎn)線投資合計超過 1400億元。其中,若 12 英寸硅片產(chǎn)按規(guī)劃落地,其月產(chǎn)能將超過 650 萬片。
中國 8/12 英尺大硅片規(guī)劃產(chǎn)能情況(萬片/月)
- | 8英寸 | 12 英寸 |
硅產(chǎn)業(yè) | 36 | 60 |
超硅半導(dǎo)體 | 50 | 85 |
中環(huán)半導(dǎo)體 | 105 | 52 |
立昂微電子 | 52 | 40 |
有研半導(dǎo)體 | 23 | 30 |
申和熱磁 | 85 | 40 |
合晶硅材料 | 20 | 20 |
其他 | 10 | 335 |
合計 | 381 | 662 |
數(shù)據(jù)來源:公開資料整理
由于新建產(chǎn)能投資較大且需要 2-3 年產(chǎn)能才能落地,所以我國實現(xiàn)大硅片自給自足仍需要時間。但隨著我國硅片產(chǎn)能逐步爬坡,大硅片進(jìn)口依賴有望逐步緩解。此外,減少對進(jìn)口依賴將有助于產(chǎn)業(yè)安全。2019 年 7 月,日本宣布限制對韓國出口半導(dǎo)體材料。由于日本是全球最大半導(dǎo)體材料生產(chǎn)國,在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域具有據(jù)對優(yōu)勢,且韓國在部分材料對日本較為依賴,出口限制對韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將產(chǎn)生影響。所以,產(chǎn)品進(jìn)口依賴高將降低產(chǎn)業(yè)安全邊際,特別在貿(mào)易爭端發(fā)生時將對相關(guān)行業(yè)造成較大沖擊。我國硅片產(chǎn)能逐步落地將有助于提升國產(chǎn)率,提升硅片供給安全。
我國作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第三次轉(zhuǎn)移的轉(zhuǎn)入國,半導(dǎo)體銷售額在全球市場中占比在持續(xù)攀升。此外,我國是全球最大的消費電子產(chǎn)品生產(chǎn)國、出口國和消費國,對于半導(dǎo)體產(chǎn)品需求較大。所以,國產(chǎn)化水平將對產(chǎn)業(yè)安全有較大影響。硅片作為晶圓制造材料市場中占比最大的且最基礎(chǔ)品種,我國在硅片領(lǐng)域存在短板且在大硅片方面更為突出。但在國家政策和資金的扶持下,我國眾多企業(yè)紛紛規(guī)劃產(chǎn)線,對半導(dǎo)體大硅片進(jìn)行布局。隨著產(chǎn)能逐步落地,能有效降低對進(jìn)口大硅片依賴程度,保障產(chǎn)業(yè)安全。
目前,5G 通信在全球范圍內(nèi)掀起熱潮,韓國、美國、中國等國家已經(jīng)開通 5G 商用網(wǎng)絡(luò)。由于 5G 網(wǎng)絡(luò)需要相應(yīng)終端才能使用,在手機廠商逐步推出平價 5G 手機后,手機換機潮將有望出現(xiàn)。對于 To B 端而言,物聯(lián)網(wǎng)是 5G 下游應(yīng)用的重要一環(huán),車聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等將成為焦點。此外,伴隨著數(shù)據(jù)流量爆發(fā),對于數(shù)據(jù)中心等基礎(chǔ)設(shè)施需求在增加。長期而言,隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下游應(yīng)用向好,硅片作為上游材料之一,其需求將有望增加。
目前,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主流硅片尺寸為 8 英寸和 12 英寸,其中 12 英寸出貨量占比超過 70%。雖然需求端持續(xù)向好,但供給端受產(chǎn)能利用率、投資周期等因素影響,短期內(nèi)無法大量擴產(chǎn)。所以,供給端短期內(nèi)或?qū)⒈3脂F(xiàn)有規(guī)模。
由于我國在硅片產(chǎn)業(yè)起步較晚,硅片國產(chǎn)程度較低,其中大硅片基本依靠進(jìn)口。但在國家政策和資金扶持下,我國硅片企業(yè)走上追趕的道路,目前已有多家企業(yè)對大硅片進(jìn)行布局。隨著產(chǎn)能落地,有望緩解對大硅片進(jìn)口依賴,提高產(chǎn)業(yè)安全。


2025-2031年中國半導(dǎo)體硅片行業(yè)市場深度分析及投資方向研究報告
《2025-2031年中國半導(dǎo)體硅片行業(yè)市場深度分析及投資方向研究報告》共四章,包含單晶硅片行業(yè)篇,外延片行業(yè)篇,領(lǐng)先企業(yè)篇等內(nèi)容。



