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2019年中國DRAM行業(yè)市場規(guī)模、企業(yè)格局及發(fā)展展望分析[圖]

    DRAM是動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory)的縮寫,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象,因此對于DRAM來說,周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性,因此被稱為“動態(tài)(Dynamic)”存儲器。DRAM的特征是運算速度快,但掉電后數(shù)據(jù)會丟失,常應(yīng)用于系統(tǒng)硬件的運行內(nèi)存。

    不同于硬盤、優(yōu)盤等外部設(shè)備,DRAM用于計算機、手機的運行數(shù)據(jù)保存以及與CPU直接通訊。在計算機、服務(wù)器的應(yīng)用領(lǐng)域,DRAM以內(nèi)存模組(俗稱內(nèi)存條)的形式出現(xiàn)。

應(yīng)用于服務(wù)器的RDIMM內(nèi)存模組

數(shù)據(jù)來源:公開資料整理

    一、DRAM行業(yè)市場規(guī)模

    DRAM按照產(chǎn)品分類分為DDR/LPDDR/GDDR和傳統(tǒng)型(Legacy/SDR)DRAM。DDR是Double Data Rate SDRAM的縮寫,即雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器,主要應(yīng)用在個人計算機、服務(wù)器上。現(xiàn)主流的DDR標準是DDR4,但DDR5已經(jīng)發(fā)布,預(yù)計未來滲透率會越來越高;LPDDR即Low Power DDR,又稱為mDDR(Mobile DDR),主要應(yīng)用于移動端電子產(chǎn)品;GDDR指的是Graphics DDR,主要應(yīng)用于圖像處理領(lǐng)域;相對于DDR的雙倍速率(在時鐘上升沿和下降沿都可以讀取數(shù)據(jù)),傳統(tǒng)的DRAM只在時鐘上升沿讀取數(shù)據(jù),速度相對慢。應(yīng)用領(lǐng)域相對較窄,是利基型的DRAM。

    DDR/LPDDR為DRAM的應(yīng)用最廣的類型,因此DRAM主要應(yīng)用于計算機、服務(wù)器和移動設(shè)備上,兩者合計占DRAM應(yīng)用比例約為90%。

DRAM下游應(yīng)用占比

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    智研咨詢發(fā)布的《2020-2026年中國DRAM存儲器行業(yè)投資潛力分析及市場規(guī)模預(yù)測報告》數(shù)據(jù)顯示:DRAM是存儲器市場規(guī)模最大的芯片,2018年DRAM市場規(guī)模已超過1000億美元,2019年由于價格大幅下降以及服務(wù)器、手機等下游均出現(xiàn)同比下滑,市場空間出現(xiàn)下降,2019年DRAM市場空間約621億美元。

DRAM市場規(guī)模(億美元)

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    經(jīng)過多年的高速增長后,受云服務(wù)商采購下滑、宏觀經(jīng)濟不確定性等因素影響,服務(wù)器出貨量在2018年3季度創(chuàng)出新高后便持續(xù)下滑,2019年服務(wù)器出貨量出現(xiàn)全年同比下降的現(xiàn)象。2020年服務(wù)器市場有望恢復(fù)增長態(tài)勢。Intel的數(shù)據(jù)中心(DCG)部門主要面對服務(wù)器市場,作為服務(wù)器的重要上游材料,其產(chǎn)品銷售數(shù)據(jù)可直接反應(yīng)下游服務(wù)器制造商未來的出貨量情況。通過數(shù)據(jù)可以看出,IntelDCG業(yè)務(wù)營收同比增速自2018年3季度開始下滑,2019年3季度恢復(fù)正增長,并創(chuàng)出歷史新高,2019年4季度營收繼續(xù)上升,且同比增速已達到20%。,預(yù)示著服務(wù)器市場亦將迎來新增長。

IntelDCG季度營收

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    5G時代云計算將加速普及,邊緣計算、物聯(lián)網(wǎng)等新增應(yīng)用將會帶來巨量的數(shù)據(jù)流量,井噴的數(shù)據(jù)流量需要更強算力的服務(wù)器支持,運營商、云服務(wù)廠商將進入大量建設(shè)數(shù)據(jù)中心的階段,服務(wù)器需求將持續(xù)增長;由于產(chǎn)品老化、性能升級等原因,服務(wù)器更換周期一般為3-5年,2017、2018年采購的大量服務(wù)器將于未來幾年進行更換,帶動服務(wù)器需求。未來全球服務(wù)器出貨量的復(fù)合增長率為6.5%。服務(wù)器作為DRAM下游需求的重要領(lǐng)域,將成為DRAM未來增長的持續(xù)動力。

未來5年全球服務(wù)器出貨量預(yù)測(百萬)

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    二、DRAM行業(yè)企業(yè)格局

    以手機為代表的移動設(shè)備是DRAM應(yīng)用的另一大下游領(lǐng)域。手機出貨量2020年將出現(xiàn)反彈,疊加手機運行內(nèi)存變大的趨勢,DRAM在手機等移動設(shè)備上的需求量未來將繼續(xù)增長。

    2017-2019年的手機出貨量分別為15.6億、15億、14.9億。手機出貨量在2017年創(chuàng)出新高后在2018年與2019年分別下降4%與1%。出貨量在2019年下滑速度已經(jīng)減緩,有望在2020年走出反彈趨勢。

    從市場看,2020年將迎來兩波驅(qū)動因素帶來的換機潮:2017年手機出貨量最高,到2020年已經(jīng)三年,多數(shù)手機的使用周期都為2-3年,到2020年將迎來“新舊換機潮”;2020年是5G正式起量的第一年,同時2020年將迎來4G到5G的“升G換機潮”。兩波換機潮的疊加將導(dǎo)致2020年智能手機銷量的回升,即使2020年疫情將影響供給能力與需求量,但這只會推遲需求而不會減少需求,下半年疫情結(jié)束后銷量將重回增勢。

    服務(wù)器出貨量將持續(xù)攀升,手機出貨量也將增加,疊加單臺設(shè)備使用的內(nèi)存變大,DRAM未來的需求量仍將保持增長態(tài)勢。

    自美國Advanced Memory推出首款1KDRAM至今已超過50年,累積創(chuàng)造了超過1萬億美元的產(chǎn)值。DRAM市場格局變化風(fēng)起云涌,從1980年代的百家齊放,到2000年的戰(zhàn)國紛爭,再到現(xiàn)在的寡頭壟斷格局,全球DRAM市場的玩家在不斷變化。

DRAM廠家名單

2018
2019
Micron
Micron
Nanya
Nanya
Powerchip
Powerchip
Samung
Samung
SK Hynix
SK Hynix
Winbond
Winbond
ProMos晉華
晉華
Samung長鑫
長鑫
-
紫光

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    目前,DRAM芯片的市場格局是由三星、SK海力士和美光統(tǒng)治,三大巨頭市場占有率合計已超過95%,而三星一家公司市占率就已經(jīng)逼近50%。寡頭壟斷的格局使得中國企業(yè)對DRAM芯片議價能力很低,也使得DRAM芯片成為我國受外部制約最嚴重的基礎(chǔ)產(chǎn)品之一。

2019年DRAM市場格局

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    三、DRAM行業(yè)發(fā)展展望

    DRAM的技術(shù)發(fā)展路徑本質(zhì)未發(fā)生變化,仍然是以微縮制程來提高存儲密度。但存儲的制程工藝進入20nm之后,制造難度就越來越高,內(nèi)存芯片廠商對工藝的定義已不是具體的線寬,而是在具體制程范圍內(nèi)提升兩代或者三代技術(shù)來提高存儲密度。具體來講,2X/2Y/2Z是指20nm級別第一代、第二代、第三代技術(shù),1X/1Y/1Z是指10nm級別第一代、第二代、第三代技術(shù),未來還有1α/1β/1γ。具體將1X/1Y/1Z與半導(dǎo)體傳統(tǒng)制程工藝進行對應(yīng),1Xnm工藝相當于16-19nm級別、1Ynm相當于14-16nm,1Znm工藝相當于12-14nm級別。

    目前市場上DRAM的應(yīng)用較為廣泛的制程是2Xnm和1Xnm,三星、美光、海力士等巨頭廠商均已開發(fā)出1Znm制程的DRAM。國產(chǎn)DRAM廠商合肥長鑫現(xiàn)已量產(chǎn)的DRAM為19nm制程,預(yù)計2021年可投產(chǎn)17nmDRAM,均為1Xnm,技術(shù)與國際先進的廠商還有較大的差距,國產(chǎn)廠商的成長之路還較為漫長。

DRAM制程市占率

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    像所有存儲器一樣,DRAM價格變化呈現(xiàn)周期趨勢。DRAM價格在2013年初到2016年中經(jīng)歷了一波價格下跌之后開始一波上揚,在2017年底到達高點,然后又連續(xù)跌了2年,到2019年底觸底;其行情的變化主要來自于供需失配。

    2017年供給端:DRAM廠家同年將部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至3DNAND,并無擴產(chǎn)計劃;需求端:2017年無論是手機還是服務(wù)器銷量均跨上歷史高點,下游需求旺盛。

    供需失配的結(jié)果就是DRAM顆粒缺貨嚴重,全年價格一直處于上升趨勢。從2018年開始,需求端手機銷量開始下滑,服務(wù)器銷量增速也開始下降,供給端則由于三大廠商開始逐步擴產(chǎn)而增加供給。在新一輪的供需失配情況下,高昂的價格更加抑制了下游的需求,因此價格便一路下滑。

DDR34Gb內(nèi)存顆粒價格(美元/顆)

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DDR48Gb內(nèi)存顆粒價格趨勢(美元/顆)

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    為平衡市場供需,減少存貨,供給端三星、美光和海力士紛紛決定放緩新廠的增產(chǎn)腳步,價格于2019年底企穩(wěn)。需求端,2019年下半年開始,服務(wù)器銷量開始增加,DRAM的需求開始抬升。供需趨于平衡的狀態(tài)中,在三星工廠停電等驅(qū)動因素下,價格開始企穩(wěn)回升。

    當前的供需狀況有利于國內(nèi)DRAM企業(yè)的發(fā)展:韓國企業(yè)DRAM銷售額約占全球的75%,當前疫情在韓國發(fā)展的速度超過預(yù)期,若未來三星或SK海力士因為疫情停產(chǎn)或降低產(chǎn)能,則當前較為緊張的DRAM供應(yīng)會更加短缺;2020年服務(wù)器銷量增加,導(dǎo)致DRAM需求進一步增加。未來DRAM價格上揚有可能會超出部分人預(yù)期,而價格上漲、供給不足的預(yù)期會導(dǎo)致下游廠商加緊備貨,進一步推升DRAM價格;相對于過去兩年持續(xù)下跌的價格,2020年DRAM價格回升企穩(wěn)有利于國內(nèi)企業(yè)的競爭。

DRAM和NANDFlash價格止跌回升(右軸:美元)

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2025-2031年中國動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)行業(yè)市場動態(tài)分析及發(fā)展趨向研判報告
2025-2031年中國動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)行業(yè)市場動態(tài)分析及發(fā)展趨向研判報告

《2025-2031年中國動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)行業(yè)市場動態(tài)分析及發(fā)展趨向研判報告》共八章,包含中國動態(tài)隨機存取存儲器產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)及全產(chǎn)業(yè)鏈布局狀況研究,中國動態(tài)隨機存取存儲器行業(yè)重點企業(yè)布局案例研究,中國動態(tài)隨機存取存儲器行業(yè)市場及投資戰(zhàn)略規(guī)劃策略建議等內(nèi)容。

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