半導(dǎo)體CVD設(shè)備

趨勢(shì)研判！2025年中國(guó)半導(dǎo)體CVD設(shè)備行業(yè)產(chǎn)品分類、產(chǎn)業(yè)鏈、發(fā)展現(xiàn)狀、競(jìng)爭(zhēng)格局及前景展望：半導(dǎo)體CVD設(shè)備技術(shù)不斷進(jìn)步，行業(yè)規(guī)模超500億元[圖]

半導(dǎo)體CVD設(shè)備是半導(dǎo)體制造過(guò)程中用于化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）工藝的關(guān)鍵設(shè)備。其核心功能是通過(guò)化學(xué)反應(yīng)，將氣態(tài)物質(zhì)沉積在半導(dǎo)體晶圓（硅片）表面，形成一層固態(tài)薄膜，這些薄膜是構(gòu)建半導(dǎo)體器件（如晶體管、集成電路）的基礎(chǔ)材料。半導(dǎo)體CVD設(shè)備主要包括常壓化學(xué)氣相沉積（APCVD）、低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）、原子層化學(xué)氣相沉積（ALD）、氣相外延（VPE）、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積（MOCVD）、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積（HDPCVD）等。