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硅外延片

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研判2025!中國(guó)硅外延片?行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈全景、發(fā)展現(xiàn)狀、細(xì)分市場(chǎng)及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析:大尺寸引領(lǐng)技術(shù)躍遷,新興應(yīng)用開(kāi)辟增長(zhǎng)空間[圖]

硅外延片是通過(guò)外延生長(zhǎng)技術(shù)在硅襯底材料表面生長(zhǎng)一層具有特定電學(xué)、光學(xué)和結(jié)構(gòu)特性的單晶半導(dǎo)體薄膜而形成的核心半導(dǎo)體材料。其核心特征在于外延層與硅襯底保持晶格匹配的單晶結(jié)構(gòu),且可通過(guò)工藝調(diào)控實(shí)現(xiàn)純度、厚度、摻雜濃度等關(guān)鍵參數(shù)的精確控制,從而滿足不同半導(dǎo)體器件的性能需求。

智研觀點(diǎn) 2025-11-10

2020年中國(guó)半導(dǎo)體硅外延片行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模及企業(yè)格局分析:行業(yè)市場(chǎng)需求將持續(xù)擴(kuò)張[圖]

半導(dǎo)體硅外延片主要由多晶硅原材料經(jīng)過(guò)晶體生長(zhǎng)、硅片成型和外延生長(zhǎng)等工藝制備得到。由于摻雜工藝靈活,厚度、電阻率等器件參數(shù)便于調(diào)節(jié),半導(dǎo)體硅外延片具有諸多優(yōu)質(zhì)特性,可以顯著改善器件反向耐用性、截止頻率等性能。半導(dǎo)體硅外延片被大規(guī)模應(yīng)用于對(duì)穩(wěn)定性、缺陷密度、高電壓及電流耐受性等要求更高的高級(jí)半導(dǎo)體器件中,主要包括MOSFET、晶體管等功率器件,及CIS、PMIC等模擬器件,終端應(yīng)用包括汽車、高端裝備制造、能源管理、通信、消費(fèi)電子等。

智研觀點(diǎn) 2020-12-10
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