2026-2032年中國薄膜沉積裝置行業(yè)市場發(fā)展形勢及投資趨勢研判報告

報告導讀：

薄膜沉積裝置作為微納制造與精密加工的核心設(shè)備，通過物理或化學方法在基底材料表面沉積功能性薄膜，廣泛應(yīng)用于半導體、光伏、顯示面板等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)。在全球半導體設(shè)備市場中，中國大陸已連續(xù)五年成為全球最大市場，2024年銷售額達495.5億美元，占全球總量的42%，展現(xiàn)出強勁的增長動能。與此同時，隨著芯片結(jié)構(gòu)從平面向立體演進，3D NAND、FinFET等架構(gòu)推動薄膜沉積層數(shù)大幅增加，2024年全球薄膜沉積裝置市場規(guī)模達231.86億美元，占晶圓制造設(shè)備的22%。中國市場規(guī)模亦迅速擴大，2024年達到約773.1億元，同比增長38.75%，其中國產(chǎn)設(shè)備在成熟制程已實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，并在14nm等先進制程逐步導入產(chǎn)線驗證。未來，中國薄膜沉積裝置行業(yè)將在技術(shù)端加速ALD等先進工藝的研發(fā)與應(yīng)用，在生態(tài)端推動“設(shè)備-材料-零部件”全鏈條協(xié)同，在應(yīng)用端持續(xù)拓展至光伏、新型顯示等泛半導體領(lǐng)域，構(gòu)建自主可控、多元驅(qū)動的發(fā)展新格局。

基于此，依托智研咨詢旗下薄膜沉積裝置行業(yè)研究團隊深厚的市場洞察力，并結(jié)合多年調(diào)研數(shù)據(jù)與一線實戰(zhàn)需求，智研咨詢推出《2026-2032年中國薄膜沉積裝置行業(yè)市場發(fā)展形勢及投資趨勢研判報告》。本報告立足薄膜沉積裝置新視角，聚焦行業(yè)核心議題——變化趨勢（怎么變）、用戶需求（要什么）、投放選擇（投向哪）、運營方法（如何投）及實踐案例（看一看），期待攜手行業(yè)伙伴，共謀行業(yè)發(fā)展新格局、新機遇，推動薄膜沉積裝置行業(yè)發(fā)展。

觀點搶先知：

行業(yè)概述：薄膜沉積裝置是一種工業(yè)設(shè)備，其核心功能是通過物理或化學方法在基底材料（如硅片、玻璃、金屬等）表面逐層沉積特定材料，形成具有光學、電學、磁學或機械性能的薄膜涂層。這些薄膜可改變基底材料的表面特性，廣泛應(yīng)用于半導體、光伏、顯示面板、新能源、生物醫(yī)療等領(lǐng)域，是微納制造和精密加工的關(guān)鍵技術(shù)之一。

產(chǎn)業(yè)鏈：中國薄膜沉積裝置行業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈上游涵蓋機械類、電氣類、機電一體類、儀器儀表類、氣體輸送系統(tǒng)、真空系統(tǒng)等原材料與零部件供應(yīng)，這些基礎(chǔ)組件的質(zhì)量和性能直接影響設(shè)備運行的穩(wěn)定性與可靠性；中游聚焦薄膜沉積裝置的研發(fā)、生產(chǎn)與制造，核心企業(yè)通過技術(shù)創(chuàng)新突破技術(shù)壁壘，形成以物理氣相沉積（PVD）、化學氣相沉積（CVD）和原子層沉積（ALD）為主的技術(shù)路線，其中拓荊科技在PECVD、ALD設(shè)備領(lǐng)域占據(jù)國內(nèi)領(lǐng)先地位，北方華創(chuàng)則主導PVD工藝裝備市場；下游廣泛應(yīng)用于集成電路制造、光伏電池、新型顯示等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)，其中芯片制造對設(shè)備技術(shù)要求最高，直接驅(qū)動著中游產(chǎn)業(yè)的技術(shù)升級與創(chuàng)新發(fā)展。

全球及中國半導體設(shè)備市場規(guī)模：近年來，全球半導體產(chǎn)業(yè)向先進制程與先進封裝方向加速迭代，疊加國內(nèi)晶圓廠擴產(chǎn)需求持續(xù)釋放，國產(chǎn)半導體設(shè)備迎來關(guān)鍵突破期。在技術(shù)端，國產(chǎn)設(shè)備通過中芯國際、長江存儲等頭部企業(yè)的產(chǎn)線驗證，在28nm及以上成熟制程實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，14nm先進制程設(shè)備逐步進入導入階段；在市場端，客戶導入與訂單轉(zhuǎn)化效率顯著提升，2024年全球半導體設(shè)備銷售額達1171億美元，同比增長10%。其中，中國大陸市場表現(xiàn)尤為突出，全年設(shè)備銷售額達495.5億美元，同比增長35%，占全球比重提升至42%，創(chuàng)歷史新高，連續(xù)第五年穩(wěn)居全球最大半導體設(shè)備市場。

全球薄膜沉積裝置市場規(guī)模：隨著芯片集成度不斷提升，單位面積內(nèi)集成的晶體管數(shù)量呈指數(shù)級增長，芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)從平面向立體架構(gòu)演進，這直接推動薄膜沉積需求大幅增加。一方面，3D NAND、FinFET等先進架構(gòu)需要更多層數(shù)的薄膜來實現(xiàn)立體堆疊與精細電路設(shè)計，部分高端芯片的薄膜沉積工序已超100道；另一方面，薄膜的厚度均勻性、純度與臺階覆蓋率要求持續(xù)提高，進一步拉動高端設(shè)備需求。在此背景下，2024年全球薄膜沉積裝置市場規(guī)模達231.86億美元，占晶圓制造設(shè)備總市場規(guī)模的22%，與半導體行業(yè)整體增長趨勢高度契合，成為細分領(lǐng)域中的增長主力。

中國薄膜沉積裝置市場規(guī)模：在中國市場，隨著芯片制造產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展與國產(chǎn)化替代進程深入推進，薄膜沉積裝置市場規(guī)模持續(xù)擴大。2024年國內(nèi)行業(yè)規(guī)模已達約773.1億元，同比增長38.75%。目前，以拓荊科技、北方華創(chuàng)、中微公司、微導納米為代表的國內(nèi)企業(yè)，正通過技術(shù)突破與產(chǎn)品迭代，在多個細分領(lǐng)域逐步實現(xiàn)國產(chǎn)替代，共同推動中國薄膜沉積裝備產(chǎn)業(yè)邁向新發(fā)展階段。

競爭格局：中國薄膜沉積裝置行業(yè)的競爭格局層次清晰，呈現(xiàn)“國際巨頭主導高端、本土龍頭引領(lǐng)替代、特色企業(yè)細分突圍”的三級梯隊結(jié)構(gòu)。第一梯隊由應(yīng)用材料、泛林集團、東京電子等國際龍頭主導，憑借在5nm及以下先進制程設(shè)備方面的技術(shù)壁壘、與全球頂尖晶圓廠的深度綁定，以及“設(shè)備+工藝”一體化服務(wù)能力，長期把控國內(nèi)高端市場核心份額，尤其在CVD、PVD等關(guān)鍵領(lǐng)域構(gòu)筑了堅實的專利護城河。第二梯隊以拓荊科技、北方華創(chuàng)、中微公司、微導納米為代表，作為國產(chǎn)替代的中堅力量，在成熟制程與部分先進工藝領(lǐng)域持續(xù)實現(xiàn)設(shè)備突破與批量導入。第三梯隊則聚集了一批如盛美上海、浙江晟霖益嘉、新凱來等創(chuàng)新型中小企業(yè)，它們避開主流高端競爭，專注深耕特色工藝、專用設(shè)備或提供高性價比定制化解決方案，在細分場景中構(gòu)建差異化優(yōu)勢，有力補充并完善了本土產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)。

本土企業(yè)布局：目前，我國薄膜沉積裝置整體國產(chǎn)化率仍低于25%，但已形成由拓荊科技、北方華創(chuàng)、中微公司、微導納米等企業(yè)構(gòu)成的國產(chǎn)化梯隊。其中，拓荊科技作為國內(nèi)CVD設(shè)備龍頭，唯一實現(xiàn)PECVD、ALD等五大技術(shù)路線量產(chǎn)，其PECVD設(shè)備市占率居首；北方華創(chuàng)以前道全環(huán)節(jié)平臺化能力為優(yōu)勢，可單廠覆蓋超70%工藝環(huán)節(jié)；中微公司以“刻蝕+薄膜”雙核驅(qū)動，鎢沉積產(chǎn)品全面覆蓋存儲應(yīng)用并獲驗證；微導納米則專注ALD技術(shù)，率先突破High-k柵氧層工藝并進入核心產(chǎn)線。各企業(yè)通過技術(shù)互補與差異化布局，共同構(gòu)建起日益完善的國產(chǎn)薄膜沉積裝置生態(tài)體系。

行業(yè)發(fā)展趨勢：中國薄膜沉積裝置行業(yè)未來發(fā)展將呈現(xiàn)技術(shù)深耕、生態(tài)完善與場景拓展并行的核心趨勢。技術(shù)層面，伴隨半導體制程向3nm及以下節(jié)點突破與3DNAND堆疊層數(shù)提升，ALD技術(shù)因原子級沉積優(yōu)勢成為核心突破口，將在FinFET、GAA等三維結(jié)構(gòu)器件及高深寬比填充場景中加速滲透，同時PVD、CVD與ALD技術(shù)的協(xié)同融合成為工藝創(chuàng)新重點，本土企業(yè)正通過低溫沉積、模塊化平臺等差異化路徑縮小與國際巨頭的差距。產(chǎn)業(yè)生態(tài)上，國產(chǎn)替代將從單一設(shè)備突破邁向“設(shè)備-材料-零部件”全鏈條協(xié)同，政策扶持與晶圓廠驗證機會形成合力，推動核心零部件國產(chǎn)化率提升，同時加速構(gòu)建自主可控的供應(yīng)鏈體系。應(yīng)用場景則持續(xù)拓寬，在鞏固半導體主業(yè)的基礎(chǔ)上，向光伏TOPCon技術(shù)、新型顯示IGZO薄膜制備及量子芯片、MEMS等前沿領(lǐng)域延伸，形成多維度增長驅(qū)動力。

報告相關(guān)內(nèi)容節(jié)選：