2026-2032年中國碳化硅晶片行業(yè)市場競爭格局及產(chǎn)業(yè)需求研判報告

報告導(dǎo)讀：

碳化硅晶片作為第三代半導(dǎo)體核心材料，是功率器件制造的基礎(chǔ)，其性能、成本與可靠性直接決定下游應(yīng)用效果。我國高度重視其發(fā)展，出臺一系列政策從戰(zhàn)略引導(dǎo)、技術(shù)創(chuàng)新等多維度構(gòu)建支撐體系，推動產(chǎn)業(yè)鏈完善與市場拓展。產(chǎn)業(yè)鏈中，襯底與外延片為核心環(huán)節(jié)，襯底技術(shù)壁壘高、價值占比大，成本占器件總成本47%，2024年全球市場規(guī)模達92億元，預(yù)計2025年增至123億元。中國作為全球最大應(yīng)用市場，正處快速發(fā)展階段，2024年碳化硅晶片市場規(guī)模約16億元，預(yù)計2025年增至19.1億元。近年來，中國碳化硅企業(yè)產(chǎn)能擴張與技術(shù)升級勢頭強勁，多家公司加速大尺寸晶片產(chǎn)能落地，向高端化邁進。企業(yè)間形成多維競爭格局，頭部企業(yè)全鏈條卡位、細分領(lǐng)域技術(shù)突圍、下游應(yīng)用強勢拉動。未來，行業(yè)將呈現(xiàn)技術(shù)、應(yīng)用與模式協(xié)同演進趨勢，加速晶圓量產(chǎn)過渡與新興領(lǐng)域滲透，IDM與代工模式共同發(fā)展，增強產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同性與韌性。

基于此，依托智研咨詢旗下碳化硅晶片行業(yè)研究團隊深厚的市場洞察力，并結(jié)合多年調(diào)研數(shù)據(jù)與一線實戰(zhàn)需求，智研咨詢推出《2026-2032年中國碳化硅晶片行業(yè)市場競爭格局及產(chǎn)業(yè)需求研判報告》。本報告立足碳化硅晶片新視角，聚焦行業(yè)核心議題——變化趨勢（怎么變）、用戶需求（要什么）、投放選擇（投向哪）、運營方法（如何投）及實踐案例（看一看），期待攜手行業(yè)伙伴，共謀行業(yè)發(fā)展新格局、新機遇，推動碳化硅晶片行業(yè)發(fā)展。

觀點搶先知：

行業(yè)概述：碳化硅晶片（SiC Wafer），全稱為碳化硅襯底晶片，是以碳化硅單晶為原料，經(jīng)過晶體生長、切割、研磨、拋光等多道精密工藝加工而成的薄片。它作為襯底，用于后續(xù)外延層生長及功率器件（如MOSFET、IGBT）的制造，是決定器件性能、成本和可靠性的核心基礎(chǔ)材料。

國家政策：碳化硅晶片作為第三代半導(dǎo)體的關(guān)鍵材料，在我國產(chǎn)業(yè)升級與科技自主戰(zhàn)略中占據(jù)重要地位。國家層面高度重視其發(fā)展，近年來密集出臺《關(guān)于擴大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長點增長極的指導(dǎo)意見》《制造業(yè)可靠性提升實施意見》《關(guān)于促進大功率充電設(shè)施科學(xué)規(guī)劃建設(shè)的通知》《電子信息制造業(yè)2025-2026年穩(wěn)增長行動方案》《電力裝備行業(yè)穩(wěn)增長工作方案（2025-2026年）》等一系列政策，從戰(zhàn)略引導(dǎo)、技術(shù)創(chuàng)新、應(yīng)用推廣與基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)等多維度協(xié)同發(fā)力，共同為碳化硅晶片行業(yè)構(gòu)建了有力的政策支撐體系，有效推動了產(chǎn)業(yè)鏈的完善與市場空間的拓展。

產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)：襯底與外延片是碳化硅晶片產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié)，其中襯底因晶體生長控制難度大、精密加工要求高，成為技術(shù)壁壘最高、價值占比最大的部分，其成本占碳化硅器件總成本的47%，直接決定下游器件的性能與整體成本。近年來，全球頭部廠商積極擴產(chǎn)，推動碳化硅襯底供給能力快速提升。在下游電力電子與射頻器件需求爆發(fā)的驅(qū)動下，行業(yè)實現(xiàn)高速增長。數(shù)據(jù)顯示，2024年全球碳化硅襯底市場規(guī)模已達92億元，同比增長24.32%。隨著8英寸、12英寸襯底技術(shù)逐步成熟并走向產(chǎn)業(yè)化，市場空間有望進一步擴大。預(yù)計到2025年，全球碳化硅襯底市場規(guī)模將增至123億元，為整個碳化硅產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展提供強勁支撐。

市場規(guī)模：中國作為全球最大的碳化硅應(yīng)用市場，其碳化硅晶片行業(yè)正處在快速發(fā)展和深刻變革的關(guān)鍵階段。憑借耐高壓、耐高溫和高頻高效的優(yōu)異特性，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體核心材料，已廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏儲能、5G通信及AI數(shù)據(jù)中心等關(guān)鍵領(lǐng)域。在政策層面，國家將其列入重點發(fā)展領(lǐng)域，通過稅收減免、研發(fā)補貼等多項措施，有力推動產(chǎn)業(yè)鏈的國產(chǎn)化進程。市場需求方面，新能源汽車800V高壓平臺的加速普及，以及AI算力崛起所驅(qū)動的數(shù)據(jù)中心電源革新與AR眼鏡等新興應(yīng)用，共同為行業(yè)發(fā)展注入強勁動力。2024年，中國碳化硅晶片市場規(guī)模已達約16億元，預(yù)計2025年將增長至19.1億元，年增速接近20%，展現(xiàn)出良好的成長性和市場前景。

企業(yè)產(chǎn)能布局：近年來，中國碳化硅企業(yè)在產(chǎn)能擴張與技術(shù)升級方面展現(xiàn)出強勁勢頭，多家公司加速6英寸、8英寸碳化硅晶片產(chǎn)能落地。東尼電子、博藍特半導(dǎo)體等企業(yè)積極擴大襯底產(chǎn)能，瀚天天成、廣東天域半導(dǎo)體則大幅提升外延片制造能力，其中天域新項目建成后年產(chǎn)能將達150萬片。在技術(shù)前沿方面，芯聯(lián)集成、南砂晶圓、士蘭微電子等企業(yè)紛紛實現(xiàn)8英寸碳化硅晶片的工程下線、投產(chǎn)或啟動芯片制造線建設(shè)，天岳先進更率先發(fā)布了12英寸襯底產(chǎn)品，標(biāo)志著我國碳化硅產(chǎn)業(yè)正加速向大尺寸、高端化方向邁進，為產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控與規(guī)?；l(fā)展奠定了堅實基礎(chǔ)。

企業(yè)格局：中國碳化硅晶片行業(yè)已形成以技術(shù)突破、模式創(chuàng)新與下游驅(qū)動為核心的多維競爭格局：技術(shù)層面，天岳先進、瀚天天成等企業(yè)率先實現(xiàn)8英寸襯底與外延片量產(chǎn)，并向12英寸大尺寸晶片進軍，通過規(guī)?；a(chǎn)降低單位成本；模式層面，三安光電等IDM企業(yè)通過全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合強化供應(yīng)鏈安全與技術(shù)協(xié)同，晶盛機電等設(shè)備龍頭則以“設(shè)備+材料”雙輪驅(qū)動拓展業(yè)務(wù)邊界；應(yīng)用層面，新能源汽車成為主戰(zhàn)場，斯達半導(dǎo)、揚杰科技等器件廠商深度綁定800V高壓平臺車企，車規(guī)級產(chǎn)品占比持續(xù)提升。與此同時，露笑科技、天科合達等企業(yè)在細分環(huán)節(jié)通過導(dǎo)模法、良率提升等差異化技術(shù)鞏固市場地位，而北方華創(chuàng)等設(shè)備材料企業(yè)則通過全流程設(shè)備覆蓋加速國產(chǎn)替代。整體來看，行業(yè)呈現(xiàn)“頭部企業(yè)全鏈條卡位、細分領(lǐng)域技術(shù)突圍、下游應(yīng)用強勢拉動”的立體化競爭態(tài)勢，國產(chǎn)化率與產(chǎn)業(yè)鏈自主可控能力持續(xù)增強。

行業(yè)發(fā)展趨勢：中國碳化硅晶片行業(yè)未來將呈現(xiàn)技術(shù)、應(yīng)用與模式協(xié)同演進的發(fā)展趨勢。技術(shù)層面，行業(yè)正加速從6英寸向8英寸晶圓量產(chǎn)過渡，并積極布局12英寸技術(shù)，晶片尺寸的升級結(jié)合工藝優(yōu)化，有望持續(xù)推動成本下降與性能提升。應(yīng)用層面，在新能源汽車（尤其是800V高壓平臺）需求主導(dǎo)的基礎(chǔ)上，碳化硅憑借其高頻、高效等優(yōu)勢，正加速向光伏儲能、AI數(shù)據(jù)中心以及AR眼鏡等新興領(lǐng)域滲透，構(gòu)建多元化的增長格局。產(chǎn)業(yè)模式層面，IDM（整合器件制造）憑借其垂直整合優(yōu)勢將繼續(xù)占據(jù)主導(dǎo)，并與專業(yè)的代工模式共同發(fā)展，以增強產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同性與韌性。

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