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2019年上半年中、日、韓國半導體新格局、中國國產(chǎn)化的危機、未來通信行業(yè)格局生變及新設備、新技術、新應用的發(fā)展機會分析[圖]

    一、中、日、韓國半導體新格局:從美國管制實體名單來看國產(chǎn)化的危與機

    (一)、從華為事件說起,影響兩面化,面臨生態(tài)之爭

    2018年,“中美貿(mào)易摩擦”無疑成為刺入資本市場的一把利劍,也壓制了通信行業(yè)的投資熱情。G20峰會的中美兩國元首會晤,讓緊張的中美關系看到一些轉機,但雙方未來的關系走向仍待觀察。實際上,自從中美貿(mào)易摩擦不斷升級以來,中國通信設備商所面臨的國際經(jīng)營壓力較大,且事端不斷。

    通信行業(yè)2019上半年同比營收下滑、盈利改善。從已披露中報的95家公司來看,2019H1合計營收3188.50億元,同比降0.65%,歸母凈利潤之和為123.33億元,同比增337.22%;如剔除中國聯(lián)通、中興通訊和新股,則剩余90家公司2019H1營收之和為1236.24億元,同比降1.27%,歸母凈利潤之和為72.89億元,同比增1.87%。

    2018H1、2019H1中國通信板塊營收對比(億元)

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    相關報告:智研咨詢發(fā)布的《2019-2025年中國移動通信行業(yè)市場全景調研及投資前景預測報告

    2018H1、2019H1中國通信板塊歸母凈利潤對比(億元,)

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    回顧中興事件和華為事件,看到半導體行業(yè)國產(chǎn)化的不同反應。2018年的中興事件,由于摻雜了所謂的“過錯”問題,因此美國的處罰使得中興通訊只能先停工,雖然也暴露了國產(chǎn)半導體存在的短板問題,但大家似乎更關心中興通訊未來的走勢,悲觀者認為其可能最終倒下,當然隨著罰款的繳納,中興事件告一段落。對于華為事件,市場一開始也普遍對華為能否繼續(xù)供貨表示擔心,雖然華為通過各種渠道表示受影響的程度有限,但資本市場的反應仍偏悲觀,通過一個季度左右的驗證之后,市場逐步重拾國產(chǎn)化的信心。

    華為事件回顧

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    華為作為國內(nèi)科技領域少有的國際巨頭,在被美國禁運后,被動或主動地都會加大國產(chǎn)化力度,國內(nèi)電子元器件產(chǎn)業(yè)鏈上下游將加大整合力度。預計,華為有望率先實現(xiàn)核心芯片及元器件的自主供應,其模式有望成為行業(yè)樣板。如芯片代工和封測的中芯國際、長電科技,射頻器件的卓盛微、三安光電、唯捷創(chuàng)芯,傳感器領域的歌爾股份、華燦光電,PCB及覆銅板的生益科技、滬電股份等有望受益。

    華為2018年的營收為7212億元,約1058億美元。華為三大業(yè)務中企業(yè)業(yè)務由于產(chǎn)品線較多,受美國供應商的影響較大,消費者業(yè)務次之,運營商業(yè)務由于華為采取的應對措施較早,受影響最小,其中光交換機受影響相對較大,原因在于光的精密結構件短期內(nèi)很難找到過程替代方案。

    華為企業(yè)業(yè)務占比最大的服務器部分,其中x86占比達98%,自有ARM服務器占比不足2%,目前正在尋求國產(chǎn)芯片采購,可選方案有兆芯等,還未有確定的國產(chǎn)芯片供應商。在數(shù)據(jù)中心交換機領域,由于高端芯片也主要來自博通等,因此該業(yè)務也會受到一定的影響。另外,由于視頻電話會議系統(tǒng)并非華為主要的業(yè)務,目前華為已經(jīng)逐步減弱在視頻電話會議硬件方面的投入。

    華為消費者業(yè)務主要以手機為主,由于手機的供應鏈較長,部分供應商來自美國,斷供后,部分產(chǎn)品目前還沒能找到非美替代方案,其中尤其以谷歌的操作系統(tǒng)及RFPA模組最為重要。因此,如果谷歌服務明年開始停止合作,將對華為的消費者業(yè)務會造成一定的銷售收入影響,尤其是歐洲等海外市場。

    華為運營商業(yè)務中,固網(wǎng)和無線是兩大主要產(chǎn)品。這兩大產(chǎn)品中,固網(wǎng)核心路由器使用的高端路由芯片以前主要由博通供應,部分高端光模塊芯片由美國供應商供應,目前看只能通過海思自研實現(xiàn)非A化供應,預計能在幾個月內(nèi)實現(xiàn)替代。華為的運營商業(yè)務影響整體不大。

    2018年華為各業(yè)務收入及占比(億元)

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    2018年華為各區(qū)域收入及占比(億元)

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    從區(qū)域銷售分布來看,美洲占比約6.6%,主要在巴西、墨西哥、智利等拉丁美洲國家。目前已知的幾個可能不采購或少采購華為設備的國家中,華為運營商銷售占比不高,其中美國、日本、韓國、澳大利亞、新西蘭運營商業(yè)務合計收入約6-8億美金,占華為總收入的<1%,占華為運營商收入約2%。目前事件對華為影響最大的是法電法國子網(wǎng),如果不采用華為5G設備,影響金額超過3億美金。另外,英國電信英國的子網(wǎng)EE表示5G網(wǎng)絡不使用華為的核心網(wǎng)設備,也將帶來約4千萬美金/年的收入影響。

    由于美國將摩擦的領域引向科技,將華為、中科曙光等企業(yè)納入出口管理實體名單,這可能導致中美兩國科技的發(fā)展方向產(chǎn)生變化:中國可能在1-2年內(nèi),基于現(xiàn)有國內(nèi)互聯(lián)網(wǎng)生態(tài)的大企業(yè),基于國內(nèi)軟件研發(fā)能力,發(fā)展國產(chǎn)操作系統(tǒng)、office、數(shù)據(jù)庫、應用軟件等,建立一整套國產(chǎn)基礎軟硬件生態(tài);5-10年,基于云平臺,將操作系統(tǒng)、office、數(shù)據(jù)庫、應用軟件做成云端產(chǎn)品,與現(xiàn)有生態(tài)解耦,重構一套應用生態(tài)。屆時廉價和穩(wěn)定的帶寬將實現(xiàn)計算和存儲資源的共享,中國有望利用云計算技術,實現(xiàn)在新的IT生態(tài)上的突破。

    (二)、日韓芯片啟示錄:聚焦核心,政策牽引,產(chǎn)業(yè)助力

    1、日本:后發(fā)先至,盛極而衰

    日本半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程可劃分為六個階段:

    萌芽期(50年代):美國“大方”輸出技術,日本晶體管產(chǎn)量超越美國。1952年開始,神戶工業(yè)、東京通信工業(yè)、日立等日本企業(yè)相繼從從美國RCA公司、西部電氣公司等公司引進晶體管生產(chǎn)技術。出于政治及經(jīng)濟原因,美國在50年代對日本采取了全面公開的技術輸出政策,不僅將專利賣給日本,還接受大批日本技術人員到美國半導體企業(yè)參觀學習。1959年,日本晶體管產(chǎn)量已與美國并駕齊驅,1960年超過美國。

    成長期(60年代):通產(chǎn)省積極應對美方施壓,獲得IC技術授權。在集成電路(IC)時代,日本繼續(xù)跟蹤美國企業(yè),但技術引進的阻力明顯加大。美國德州儀器公司于1964年要求日本通產(chǎn)省同意其在日本設立獨資子公司,以此作為向日本公開專利的條件。通產(chǎn)省一方面加緊制定產(chǎn)業(yè)扶持政策,另一方面對德儀采取拖延策略。1963年,NEC從美國仙童公司獲得IC平面工藝的專利實施權,并在日本政府要求下與三菱、夏普等公司分享。1968年,德儀與索尼設立50:50合資企業(yè),德儀將專利授權給索尼、三菱、NEC等公司使用。

    崛起期(70年代):美國IC斷供,日本押注DRAM實現(xiàn)反超。越來越警惕的美國企業(yè)在1972年開始拒絕為日本提供IC產(chǎn)品,導致日本計算器在美國市場份額從80%降至30%以下。因此,日本政府下決心要突破動態(tài)存儲器(DRAM)技術,1972-1976年為六家本土企業(yè)提供合計6億美元的補貼,1976-1980年又組織日本超大規(guī)模集成電路(VLSI)項目。日本企業(yè)在1K、4KDRAM落后于美國,16KDRAM與美國同步研制成功(1976),64KDRAM領先美國2年研制,256K、1MDRAM也都領先美國。日本憑借DRAM再次打入美國市場,在質量、價格和交貨時間方面均獲得很高評價。

    鼎盛期(80年代):美國實施強力制裁,日本頂住重壓走向巔峰。日本半導體的崛起引發(fā)美國一系列抵制措施,如反傾銷調查(1982)、日立IBM間諜案(1982)、日美半導體擔保協(xié)議(1986)、100%懲罰性關稅(1987)等等,但日本半導體產(chǎn)業(yè)仍實現(xiàn)全球份額的快速提升。1980至1986年,美制半導體在全球市場的份額從61%下降到43%,而日本則從26%上升至44%。日本于1986年首次超過美國成為全球最大的半導體生產(chǎn)國,1987年日本DRAM的全球市場份額達到80%的歷史最高水平。截至1990年,日本半導體企業(yè)在全球前10名中占據(jù)了6席,在前20名中占據(jù)了12席。

    衰落期(90年代):外部加劇競爭,內(nèi)部創(chuàng)新不足,日本跌落神壇。美國于1991年與日本續(xù)簽《第二次半導體協(xié)議》,繼續(xù)壓制日本,同時積極扶持韓國、臺灣半導體產(chǎn)業(yè),給日本創(chuàng)造競爭對手。從日本自身來看,隨著80年代末“泡沫經(jīng)濟”崩潰,日本經(jīng)濟進入長期低迷,技術創(chuàng)新投入不足,逐漸落伍。美國企業(yè)在微處理器、移動電話IC、可編程邏輯器件等高附加價值產(chǎn)品上建立優(yōu)勢,1993年取代日本重新成為全球最大芯片出口國。韓國、臺灣則憑借成本優(yōu)勢在較低端的DRAM領域搶占市場,1998年韓國取代日本成為DRAM第一生產(chǎn)大國。從1990至2000年,日本半導體產(chǎn)品占全球市場的份額從40%下降到20%。

    低谷期(2000年以來):各大企業(yè)拆分重組,細分領域等待機遇。日本企業(yè)傳統(tǒng)的垂直整合模式日漸式微,錯過了智能手機海量市場,日本半導體企業(yè)不得不拆分重組,在細分領域尋找機會,如日立、三菱、NEC的半導體部門合并瑞薩,聚焦汽車微控制器和自動駕駛領域,東芝放棄全能式產(chǎn)業(yè)結構,聚焦閃存、二極管、氮化鎵芯片,富士通、松下的系統(tǒng)LSI業(yè)務部門合并成立索喜公司,以系統(tǒng)級芯片為中心提供產(chǎn)品和服務。如今全球前十大半導體企業(yè)已沒有一家來自日本,媒體評價“日本半導體產(chǎn)業(yè)在世界上不再重要”。

    2、韓國:天時地利,終成霸業(yè)

    韓國半導體產(chǎn)業(yè)主要經(jīng)歷了四個發(fā)展階段:

    準備期(60年代):美日在韓投資半導體組裝線。20世紀60年代,韓國由進口替代轉為出口導向戰(zhàn)略,積極鼓勵外國高科技企業(yè)在韓國投資設廠。與此同時,美國半導體企業(yè)感受到來自日本在半導體行業(yè)的第一輪競爭壓力,因此開始在國外投資低成本的裝配生產(chǎn)線,自1965年起美國高美、仙童、摩托羅拉等公司相繼進入韓國。1969年,東芝成為首個在韓國投資的日本公司。在美國、日本半導體廠商的帶動下,韓國構建了外向型組裝生產(chǎn)體系,幾乎所有產(chǎn)品都用于出口。

    初創(chuàng)期(70年代初-80年代中):支持性政策持續(xù)推出,資金、人才迅速聚集,韓國半導體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展。韓國政府開始強調發(fā)展自主技術能力的重要性,不斷出臺政策支持半導體產(chǎn)業(yè),如電子工業(yè)振興法和電子工業(yè)振興八年計劃(1969),推動半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的六年計劃(1975)、半導體工業(yè)育成計劃(1981)等。在政策支持下,韓國本土半導體產(chǎn)業(yè)于70年代中期萌芽(第一家本土半導體公司韓國半導體1974年成立),80年代進入DRAM領域。各大企業(yè)一方面從國外公司大量購買技術授權和制造設備,如三星與鎂光、CITRIX、夏普合作,LG與AT&T、日立合作,現(xiàn)代與德儀、Vitelic合作,另一方面從海外大規(guī)模引進韓裔科學家、工程師。韓國企業(yè)集中資源實現(xiàn)了快速追趕,1984年量產(chǎn)64KDRAM,1986年量產(chǎn)256KDRAM(均由三星最早實現(xiàn))。

    崛起期(80年代中-90年代中):美國援助,自主突破,韓國DRAM反超日本。80年代中期,日本半導體企業(yè)發(fā)動價格戰(zhàn),致使1985年韓國DRAM產(chǎn)值下滑20%,到1986年底三星半導體累計虧損3億美元。為“扶韓抗日”,英特爾、IBM聯(lián)手對三星進行技術和經(jīng)濟扶植,美國也對韓國緊急放開國內(nèi)市場。與此同時,韓國政府推行“超大規(guī)模集成電路技術共同開發(fā)計劃”,強化本土企業(yè)技術能力。最終,韓國半導體產(chǎn)業(yè)挺過價格戰(zhàn),強化了自身的技術能力,DRAM研發(fā)進度逐漸追上并反超日本。得益于兩次“美日半導體協(xié)議”,韓國DRAM產(chǎn)品在美國市場份額從1986年的7.5%提升至1990年的17.7%,90年代中期升至30%以上。韓國通過巨額投資形成規(guī)模經(jīng)濟,DRAM的產(chǎn)值產(chǎn)量占其半導體產(chǎn)業(yè)總量的90%左右,成為世界最大DRAM生產(chǎn)國。

    鼎盛期(90年代末至今):三星兩次逆周期操作,韓國成第二大半導體強國。1997年亞洲金融危機爆發(fā),全球DRAM產(chǎn)能過剩,三星卻逆勢擴大生產(chǎn)、打壓DRAM價格,一舉擊潰日立、NEC、三菱等競爭對手。2008年金融危機期間,三星再次祭出逆周期操作,迫使DRAM國際市場價格跌破材料成本,德國奇夢達、日本爾必達破產(chǎn)。2011年,韓國在全球半導體市場的份額達到16%,超越日本成為僅次于美國的第二大半導體強國。目前,三星、SK海力士在DRAM和NANDFlash領域市場份額已連續(xù)多年全球領先,韓國存儲器產(chǎn)品約占世界存儲器產(chǎn)品總量的近1/2。在存儲器業(yè)務之外,韓國企業(yè)在智能手機應用處理器、代工等環(huán)節(jié)亦躋身全球頂尖行列。2017年,三星在半導體業(yè)務營收方面榮登全球榜首,超越25年長居第一的英特爾。

    3、對中國的啟示:道路曲折,前景光明

    日韓半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史對于我國半導體產(chǎn)業(yè)具有重要借鑒意義,從中可獲得以下三方面啟示:

    第一,中美科技與貿(mào)易摩擦或將持續(xù),本質是地位之爭。

    回顧日本、韓國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展史可以發(fā)現(xiàn),兩者都曾面臨來自別國的激烈競爭、甚至打壓,均經(jīng)過長期的努力最終從追趕者變?yōu)轭I導者。例如,美國對日本半導體產(chǎn)業(yè)的打壓持續(xù)長達30年,從70年代初對日本斷供芯片,到80年代實施一系列貿(mào)易制裁,再到90年代支持韓國、臺灣聯(lián)合打壓日本。日本也曾對韓國多次發(fā)起芯片戰(zhàn)爭,如1985年發(fā)起價格戰(zhàn)致韓國DRAM產(chǎn)值下滑20%,1997年日本半導體五大巨頭曾試圖聯(lián)手將64MDRAM產(chǎn)量在一年內(nèi)提高十倍從而徹底扭轉日韓半導體戰(zhàn)局。在長期的競爭過程中,以DRAM為代表的全球半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)生了深刻變革,其重心從美國轉向日本,又從日本轉向韓國。

    全球半導體市場份額變化

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    需要指出的是,無論從目的還是手段來看,美、日、韓之間的半導體戰(zhàn)爭從來不是單純的商業(yè)競爭或科競爭,而是全面涉及政治經(jīng)濟領域的、以綜合國力和國際地位為基礎的角力。例如,1985年美國半導體行業(yè)協(xié)會正是以“半導體行業(yè)削弱將給國家安全帶來重大風險”為由說服美國政府實施制裁,將貿(mào)易爭端從經(jīng)濟學變成政治經(jīng)濟學問題,此后美國政府認定日本DRAM傾銷、簽署“美日半導體協(xié)議”、征收100%懲罰性關稅、否決富士通收購仙童半導體等等。而韓國正是利用了美日芯片戰(zhàn)的絕佳機會成功逆襲,三星曾于1990年派出公關團隊游說克林頓政府,最終美國人僅向三星收取0.74%的反傾銷稅,而日本則被最高收取100%反傾銷稅。

    中美貿(mào)易摩擦可能是美國試圖重演80年代美日貿(mào)易戰(zhàn),以遏制中國的復興,本質是地位之爭。因此必須從更宏觀的戰(zhàn)略視角、更遠期的時間跨度來理解中美貿(mào)易戰(zhàn),可能是持久戰(zhàn)。

    第二,日韓遵循類似的追趕模式,應借鑒其成功經(jīng)驗挺過難關。

    日本、韓國半導體產(chǎn)業(yè)在發(fā)展過程中采取了相似的策略,即政策規(guī)劃先行,構建政產(chǎn)學研合作的創(chuàng)新系統(tǒng),遵循從模仿/引進到自主創(chuàng)新的路徑,逐步從落后走向前沿,這一模式被我國半導體產(chǎn)業(yè)乃至整個制造業(yè)所采用。我國科技產(chǎn)業(yè)當下正處于從模仿到創(chuàng)新、從落后到前沿的過渡時期,正是自身尚未崛起、而對手已開始打壓的關鍵時刻。日本半導體產(chǎn)業(yè)在70年代-80年代初、韓國半導體產(chǎn)業(yè)在80年代中后期都曾有過類似處境,兩者的對策都是政府牽頭組織各大本土企業(yè)開展聯(lián)合攻關,持續(xù)加大研發(fā)投入,最終成功實現(xiàn)突圍,這對我國科技產(chǎn)業(yè)而言極具借鑒意義。

    日本在70年代初遭遇美國芯片斷供后下決心攻關DRAM技術,于1976-1980年推出日本歷史上最大規(guī)模的半導體研發(fā)項目“超大規(guī)模集成電路研究組合”,由通產(chǎn)省組織富士通、NEC、日立、東芝、三菱電機五家企業(yè)與日本工業(yè)技術研究院電子綜合研究所、計算機研究所合作,投入737億日元。“研究組合”產(chǎn)出專利1210項,論文460篇,商業(yè)機密347項,突破1微米加工精度大關,最終使日本早于美國2年研制出64K、256KDRAM。

    1976-1980年日本超大規(guī)模集成電路研究組合

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    韓國在1986年舉全國之力推出“超大規(guī)模集成電路技術共同開發(fā)計劃”,促成三星、LG和現(xiàn)代結盟,韓國電子與電信研究所作為三大廠商和6所大學的協(xié)調者,共同研發(fā)DRAM基礎技術,目標是到1989年量產(chǎn)4MDRAM,從而消除與日本的技術差距。該計劃在1986-1989共投入1.1億美元,其中政府承擔57%。在國家力量助推下,韓國三星、LG、現(xiàn)代研發(fā)投入成倍增加,分別建立了26、18、14個研發(fā)中心,最終與日本DRAM的研發(fā)進度差距縮小至1年以內(nèi)。

    韓國超大規(guī)模集成電路技術共同開發(fā)計劃

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    第三,謹記日本前車之鑒,避免“失落十年”重演。

    日本半導體產(chǎn)業(yè)在80年代末、90年代初由盛轉衰,先后被美國、韓國超越,最終在全球半導體競爭格局中顯得不再重要。以下兩方面因素是將日本推向衰落的重要原因,我國應從中吸取教訓。

    一方面,日本在美日半導體戰(zhàn)爭中表現(xiàn)弱勢、不斷妥協(xié),最終喪失了對本國市場和產(chǎn)業(yè)的主導權,這是根本性的戰(zhàn)略失誤。例如,美國商務部1982年3月對日本半導體發(fā)起反傾銷調查,當月通產(chǎn)省即要求日本企業(yè)自動減少對美出口、提高對美出口價格;1985年美國提起301條款訴訟,日本被迫同意簽署為期五年的“日美半導體擔保協(xié)議”,日本半導體產(chǎn)業(yè)被剝奪經(jīng)營自由,完全置于美國政府監(jiān)視之下。

    另一方面,日本半導體產(chǎn)業(yè)在90年代對新興技術研發(fā)投入不足,錯過IT、互聯(lián)網(wǎng)技術興起的機會窗口,最終與美國的差距進一步拉大。我國與過度依賴海外市場(特別是美國市場)的日韓不同,本身擁有全球最大體量的消費市場,應當充分利用這一優(yōu)勢,大力投入新技術研發(fā),盡早建立完整的創(chuàng)新生態(tài),加速自主技術的迭代和完善,實現(xiàn)關鍵技術自主可控。而這點,也是中國國產(chǎn)化有望取得成功的關鍵。

    (三)、通信網(wǎng)絡設備及核心芯片國產(chǎn)化已在提速

    信息產(chǎn)業(yè)的國產(chǎn)化,網(wǎng)絡設備先行。2016年印發(fā)的《國家信息化發(fā)展戰(zhàn)略綱要》提出,要確保網(wǎng)絡安全,控制和化解信息化過程中所存在的風險,打造安全可控的核心技術體系。要打造安全可控的體系就不僅要做到信息安全與網(wǎng)絡安全,也要做到設備的本體安全,及所采用的設備、芯片、軟件、操作系統(tǒng)等可控。網(wǎng)絡設備的基本單元主要包括:路由器、交換機、服務器。傳統(tǒng)網(wǎng)絡設備中的核心芯片,包括CPU、交換芯片、FPGA等,幾乎都是以國外為主。如CPU普遍依賴于X86芯片,主要是intel、AMD,交換芯片主要依賴于博通,F(xiàn)PGA主要依賴于賽靈思、ALTER。網(wǎng)絡設備的國產(chǎn)化,就是以國產(chǎn)化CPU、交換芯片、FPGA為核心,構筑路由器、交換機、服務器等國產(chǎn)化網(wǎng)絡設備,從政府系統(tǒng)向各個行業(yè)輻射,進而形成國產(chǎn)化的生態(tài)系統(tǒng)。

    主要網(wǎng)絡設備在網(wǎng)絡中的位置示意圖

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    網(wǎng)絡設備國產(chǎn)化的關鍵是核心芯片。網(wǎng)絡設備中的芯片很多,包括CPU、存儲器、電源管理芯片、FPGA、交換芯片、時鐘芯片等,其中部分芯片可以實現(xiàn)國產(chǎn)化、有些國產(chǎn)化程度較差。其中,部分芯片處于核心地位,如CPU、FPGA、交換芯片,計算功能強大、通用性強、復雜度高、對國外依賴性強。這些芯片處于核心地位。因此,網(wǎng)絡設備的國產(chǎn)化,首先是核心芯片的國產(chǎn)化,或者至少是供應的可管可控。

    國產(chǎn)化核心芯片多年來一直在夾縫中生存,如今國產(chǎn)化大勢下,或將迎來快速發(fā)展期。

    一是,國產(chǎn)CPU廠家多年被扶持,逐步培育,有望加速突破。目前全球CPU幾乎被Intel與AMD兩家廠商壟斷,國產(chǎn)化CPU廠家主要包括龍芯、飛騰、兆芯、申威、海思、蘇州國芯等,各有側重。CPU分兩大指令集,分別為復雜指令集(CISC)和精簡指令集(RISC),其中CISC的代表架構是x86,而RISC主要有ARM、MIPS、SPARC和POWER等架構。龍芯是基于MIPS架構、兆芯基于X86架構,飛騰、海思基于ARM架構,申威則基于Alpha架構,蘇州國芯基于powerPC架構。數(shù)據(jù)顯示,國產(chǎn)CPU在單核性能上,飛騰、龍芯、申威和兆芯等國產(chǎn)CPU的單核性能從“十二五”初期不到Inteli3CPU的10%分別提升到2017年的36.4%、33.3%、25.8%和51.5%。此外,由于國產(chǎn)CPU投入高,生態(tài)差,基本都是政府扶持的企業(yè),多年來也是以黨政市場為主。預計后續(xù)隨著國產(chǎn)化推進,從黨政系統(tǒng)規(guī)模推進,這些國產(chǎn)化芯片企業(yè)將迎來戰(zhàn)略機遇期。

    二是交換芯片是交換機內(nèi)部使用的芯片,目前全球市場幾乎是博通一家獨大,尤其高端交換芯片,因此包括華為、思科在內(nèi)的交換機廠商也普遍使用博通的交換機芯片。國內(nèi)目前做交換芯片的主要是盛科網(wǎng)絡,盛科正與本地化合作伙伴的緊密配合,借助SDN、白牌等定制化方案,打造全自主產(chǎn)品。

    三是FPGA是在PAL、GAL、CPLD等可編程器件的基礎上發(fā)展而來的產(chǎn)物,同一片F(xiàn)PGA,不同的編程數(shù)據(jù),可以產(chǎn)生不同的電路功能。FPGA具有研發(fā)投入大,生命周期長,EDA等軟件工具高度依賴國外廠商等特點,導致目前國內(nèi)FPGA發(fā)展緩慢。目前,我國主要的廠商有紫光同創(chuàng)、復旦微電子、成都華微、深圳國威、京微雅格,上海安路等,但在性能方面與Xlinx等國際巨頭的產(chǎn)品還存在較大差距。

    整體來看,核心芯片(CPU/交換芯片/FPGA)領域,雖然對國外依賴度高,但是國內(nèi)并非完全零基礎,各個領域都有國產(chǎn)化廠商,雖然性能比國外差距大、生態(tài)沒有完全建立起來,但政府應用中性能一直在提升,研發(fā)也從未停止。中美貿(mào)易摩擦大背景下,國產(chǎn)化替換大勢所趨,國產(chǎn)化芯片廠商正迎來戰(zhàn)略發(fā)展機遇期。

    國產(chǎn)化CPU芯片和INTEL芯片性能對比

數(shù)據(jù)來源:公開資料整理

    國內(nèi)外交換芯片性能對比

數(shù)據(jù)來源:公開資料整理

    多年來,國產(chǎn)化芯片得不到大發(fā)展,直接原因是國產(chǎn)化芯片性能相比于國外差距較大,下游廠商更愿意選擇國外產(chǎn)品。其核心原因其實是沒有自己的生態(tài)系統(tǒng),沒有生態(tài)系統(tǒng)反哺,核心芯片難以有大突破,進而進一步限制了生態(tài)的建立。然而,在美國限制背景下,不論是被動還是主動,整個國產(chǎn)化信息生態(tài)系統(tǒng)的建立是大勢所趨,這里有兩個趨勢:一是自主可控生態(tài)系統(tǒng)的建立,首先從網(wǎng)絡設備的可控開始。因為網(wǎng)絡設備是網(wǎng)絡的基本單元,只有網(wǎng)絡設備先可管可控,國產(chǎn)替代了,網(wǎng)絡系統(tǒng)建立起來,應用隨之起來,整個國產(chǎn)化的生態(tài)體系才能最終建立起來;二是生態(tài)從黨政系統(tǒng)開始。一方面黨政系統(tǒng)涉及國家安全,自主可控最迫切,同時初期國產(chǎn)化設備性能相比于國外性能差距較大,黨政系統(tǒng)數(shù)據(jù)量較消費級市場低,再加上政府支持,國產(chǎn)化設備從黨政系統(tǒng)領域切入更合理。實際上,當前國產(chǎn)化芯片,也都是在黨政系統(tǒng)中率先應用。

    國內(nèi)網(wǎng)絡設備市場穩(wěn)定,整機已經(jīng)實現(xiàn)國產(chǎn)化。國內(nèi)交換機市場規(guī)模大約在270億元左右,每年增速大約在17%左右,路由器市場規(guī)模大約在250億元左右。就國內(nèi)市場而言,路由器、交換機兩大網(wǎng)絡設備,華為、新華三兩家占據(jù)近60%-80%左右的市場份額。服務器領域,則是浪潮信息、華為、新華三、中科曙光等占據(jù)國內(nèi)超過50%的市場份額。因此,從這個角度而言,國內(nèi)網(wǎng)絡設備整機已然實現(xiàn)國產(chǎn)化。

    2016-2018年國內(nèi)路由器市場格局

數(shù)據(jù)來源:公開資料整理

    2016-2018年國內(nèi)交換機行業(yè)格局

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    2018年中國X86服務器市場格局

數(shù)據(jù)來源:公開資料整理

    2019Q1中國X86服務器市場格局

數(shù)據(jù)來源:公開資料整理

    雖然網(wǎng)絡設備整機國產(chǎn)化程度高,核心的芯片還是對國外依賴度高,并不能算真正自主,依然面臨卡脖子問題,因此實現(xiàn)基于國產(chǎn)化芯片的網(wǎng)絡設備勢在必行。目前,國內(nèi)做基于國產(chǎn)化芯片的網(wǎng)絡設備主要廠商包括:華為、紫光股份、浪潮信息、邁普、中國長城、恒為科技等,且目前主要面向政府市場。預計未來也將率先從黨政系統(tǒng)開始發(fā)力,因為黨政系統(tǒng)是相對成熟的領域。早在2018年5月,中央政府采購網(wǎng)公告的《2018-2019年中央國家機關信息類產(chǎn)品(硬件)和空調產(chǎn)品協(xié)議供貨采購項目征求意見公告》中就明確提出在原有服務器等類別的基礎上,增設了“國產(chǎn)芯片服務器”這一新的類別,其中包括龍芯CPU服務器、飛騰CPU服務器以及申威CPU服務器。體現(xiàn)出政府發(fā)力國產(chǎn)化網(wǎng)絡設備的意志,預計未來3年,推進力度會會進一步加強。

    國產(chǎn)交換機相關情況

數(shù)據(jù)來源:公開資料整理

    國產(chǎn)可控服務器相關情況

數(shù)據(jù)來源:公開資料整理

    二、趨勢展望:格局生變,新設備、新技術、新應用,各有機會

    受中美貿(mào)易摩擦影響通信指數(shù)大跌,最大跌幅達41.58%。因5G提振,有兩輪波段性上漲行情,10月中以來更是顯著反彈(上漲22.44%),截至12月9日指數(shù)累計下跌31.94%,列第22位。

    (一)、從中美關系看通信行業(yè)的格局變化。中美貿(mào)易摩擦及“五眼聯(lián)盟”可能導致全球通信業(yè)格局生變。而隨著美韓市場5G率先投入,愛立信、諾基亞等有望先受益。但由于全球運營商經(jīng)營面臨壓力,個別國家禁購中國設備事宜仍有轉機。同時,自主可控更加緊迫,給北斗導航、天通通信、網(wǎng)絡安全帶來機會。

    (二)、從5G技術變革看供應鏈格局變化。MIMO帶來基站天線、射頻、PCB變革;高頻推動PA技術發(fā)生改變,材料從金屬氧化物半導體(LDMOS)向碳化硅襯底外延氮化鎵(GaN-on-SiC)轉變。技術革新既影響量價,也有望帶來供應鏈變局。

    (三)、從ICT融合看網(wǎng)絡重塑以及云計算。5G速率提升及網(wǎng)絡架構調整,給光模塊、時間同步帶來新需求,也使ICT融合加速,讓NFV/SDN、邊緣計算走向商用,模式將變。IT投資占通信網(wǎng)絡投資的比例有望大幅提升,柔性網(wǎng)絡也將激發(fā)新商業(yè)模式。

    (四)、從典型應用看5G網(wǎng)絡的長期價值。5G改變社會,建網(wǎng)增加capex,大彈性或將出現(xiàn)在2020年,看好該階段全球設備商的投資機會;2019年起,5G試商用/商用,有望逐步驗證云AR/VR、網(wǎng)聯(lián)無人機、智能駕駛等應用,數(shù)據(jù)也將爆發(fā),推動云計算。

    三、行業(yè)回暖,景氣向上,5G與非5G板塊均需關注

    展望2019年,通信行業(yè)值得重點關注。因為行業(yè)開始景氣向上,且有望持續(xù)3-5年,將給業(yè)績向好奠定良好基礎。

    首看5G,預計2019年將是中國5G元年,試商用將如期而至,商用也存可能,預計中國全年將新建開通5G基站10萬站左右,全球預計在30-40萬站左右。建議立足中國,放眼全球,持續(xù)關注5G重點標的:烽火通信、某設備商、深南電路、光迅科技、武漢凡谷、世嘉科技、天孚通信、通宇通訊、天奧電子、華體科技、中國鐵塔、愛立信、CREE、羅杰斯、賽靈思等。

    再看IDC及云計算、網(wǎng)絡安全、智能控制與物聯(lián)網(wǎng)、自主可控與衛(wèi)星導航及通信等板塊。5G發(fā)展也離不開上述板塊,而中美貿(mào)易摩擦下,自主可控也需重點關注,主要標的包括:光環(huán)新網(wǎng)、深信服、星網(wǎng)銳捷、中際旭創(chuàng),中新賽克、恒為科技,和而泰,海格通信、華力創(chuàng)通、振芯科技等。 

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2025-2031年中國5G頻譜行業(yè)市場發(fā)展態(tài)勢及投資前景研判報告
2025-2031年中國5G頻譜行業(yè)市場發(fā)展態(tài)勢及投資前景研判報告

《2025-2031年中國5G頻譜行業(yè)市場發(fā)展態(tài)勢及投資前景研判報告》共七章,包含全球及中國5G頻譜規(guī)劃及發(fā)展重點,全球及中國5G頻譜垂直行業(yè)應用需求分析,5G頻譜資源規(guī)劃與分配管理趨勢分析等內(nèi)容。

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